D06-先进微电子与光电子材料
D06-Advanced Microelectronic and Optoelectronic Materials
征文主题： Si、Ge、SOI、GOI、SiC和化合物半导体等衬底材料；用于集成电路和光电器件制造的高-k/金属栅叠层、Low-k材料、GeSi外延层、GeSn外延层、PCRAM存储材料、RRAM介质材料、STT-MRAM用磁性薄膜等新型薄膜材料；光刻胶、DSA、各类CVD和ALD前驱体、CMP抛光材料、工艺化学品、靶材等集成电路制造工艺材料；新型显示材料；先进封装材料；新型二维材料；碳纳米管，石墨烯等碳基功能材料；材料检测技术与方法；材料设计理论与计算模拟。
Main Topics:
Substrate materials such as Si, Ge, SOI, GOI, SiC and compound semiconductors;
High-k, Low-k, GeSi, GeSn, PCRAM, RRAM, STT-MRAM, and other materials used in integrated circuits and optoelectronic devices;
Photoresists, DSA, CVD and ALD precursors, CMP materials, process chemicals and targets for integrated circuit fabrication and manufacturing;
New display materials;
Carbon nanotubes, graphene and other carbon based functional materials;
Advanced packaging materials;
Novel two dimensional materials;
Carbon nanotubes, graphene and other carbon based functional materials;
Materials characterization technology and methods;
Materials design theory and simulation.
分会主席：
王曦 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
汪正平 香港中文大学
杨德仁 浙江大学
林庆煌 ASML
赵超 中国科学院微电子研究所
承办单位： 集成电路材料和零部件产业技术创新战略联盟
支持单位： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
论文出版： 由分会统一安排，推荐优秀论文在Journal of Materials Science: Materials in Electronics（SCI收录）出版；作者也可根据自身情况选择由大会统一出版。
有出版要求的作者，请务必在提交全文后邮件通知大会联系人。
联系方式： 宋三年 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
13818144065， songsannian@mail.sim.ac.cn
分会邀请报告
◇ 康晋锋 -- 北京大学 -- 新型HfO2铁电效应机理与器件特性
◇ 宋志棠 -- 中科院上海微系统与信息技术研究所 -- 相变存储机理与芯片研制
◇ 缪向水 -- 华中科技大学 -- 忆阻器材料与器件
◇ 于洪宇 -- 南方科技大学 -- GaN与Ga2O3在RF与功率器件方面的应用
◇ 刘志权 -- 中国科学院深圳先进技术研究院 -- 锡基封装材料的互连机理与服役可靠性
◇ 祁 楠 -- 中国科学院半导体所 -- CMOS高速电路与硅基光电子集成技术-现在和未来
◇ 彭 谦 -- 中国科学院化学研究所 -- 新型OLED蓝光材料研发进展
◇ 赵德刚 -- 中国科学院半导体研究所 -- GaN基材料与光电子器件
◇ 王欣然 -- 南京大学 -- Two-dimensional organic-inorganic hybrid systems
◇ 朱文娟--美国伊利诺伊斯香槟分校--Nanoscale Devices based on Two-dimensional Materials and Ferroelectric Materials
◇ 孟国文--中国科学院固体物理研究所--基于多孔模板法可控构筑一维分枝功能纳米结构
◇ 郭 霞--北京邮电大学--CVD方法生长石墨烯材料的原位氧化及其在光电探测器上应用
◇ 李风煜--暨南大学--打印组装柔性多结构传感器与复杂生物信息分析
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